變溫霍爾效應實驗儀 型號：LK-HT-648
 

霍爾效應的測量是開展半導體研究的重要方法。本機利用計算機的數據采集和處理在80K-400K溫度范圍內對霍爾系數和電導率的聯合測量，進行半導體導電機制及散射機制的研究，并可確定半導體的一些基本參數，如導電類型、載流子濃度、遷移率、禁帶寬度以及雜質電離能等。        

主要技術指標
 
1．電磁鐵          0-300mT連續可調
 
2. 勵磁電源       0-5A連續可調  可自動換向       穩定性﹤±0.1%
 
3. 數字特斯拉計              0-2000mT       三位半數字顯示   分辨率0.001
 
4. 恒流源輸出       1mA       穩定性±0.1%
 
5. 數據采集系統霍爾電壓測量最小分辨率1uV
 
6. 溫度變化測量范圍           80-400K
 
7. 整套儀器由電磁鐵系統、電源控制系統機箱、測量系統主機、恒溫器四部分組成
 
8. 探頭樣品采用單晶鍺片

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